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FFPF10UP20S
—
Ultrafast II Diode
www.fairchildsemi.com
2
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF10UP20S Rev. C1
Electrical Characteristics TC = 25oC
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VF1
Forward Voltage
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
TC = 25oC
TC = 125oC
-
-
-
-
1.15
1.10
V
IR1
Reverse Current
@ rated V
R
TC = 25oC
TC = 100oC
-
-
-
-
100
500
?A
trr
Irr
Qrr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Charge
(IF
= 6 A, di
F/dt = 200 A/μs, VR
= 130 V)
TC = 25oC
-
-
-
32
1.65
24.4
-
-
-
ns
A
nC
WAVL
Avalanche Energy ( L = 40 mH)
5
-
-
mJ
Test Circuit and Waveforms
Notes:
1: Pulse: Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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